特許

J-GLOBAL ID：202103003378032024

ウエハ裏面における堆積の低減のための可変温度ハードウェアおよび方法

発明者： フー・カン ,  イシュタク・カリム ,  プルショッタム・クマル ,  ジュン・チエン ,  ラメッシュ・チャンドラセカーラン ,  アドリエン・ラボワ
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-239056
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135366
特許番号：特許第6940273号
出願日： 2016年12月09日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 化学堆積装置において有用なプロセス・チューニング・キットであって、キャリアリング、1セットの3つの蹄鉄体、および複数セットの3つのシムを備え、 前記シムは、上面、前記上面に平行な下面、端壁、前記端壁から延びるU字型の側壁、および前記上面と前記下面との間に延びるボアを有し、第1セットの3つのシムは同じ厚さを有し、第2セットの前記シムは、前記第1セットのシムと異なる厚さを有し、 前記蹄鉄体は、上面、前記上面に平行な下面、端壁、前記端壁から延びるU字型の側壁、前記上面と前記下面との間に延びるボア、および前記端壁において開口し前記上面にわたって半分より短く延びるスロットを有し、前記ボアは、前記シムの前記ボアと同じ直径を有し、 前記キャリアリングは、上面、前記上面に平行な下面、外側壁、内側壁、および下面から延びる3つの整合ピンを有する、キット。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/683 ( 200 6.01) ,  C23C 16/458 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N ,  C23C 16/458

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ウエハ加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-168184   出願人：株式会社村田製作所
• 半導体製造装置におけるウエハステージおよびその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-142534   出願人：株式会社エース
• オートドープおよび裏面欠陥が減少したエピタキシャル堆積用のウェーハ処理ハードウェア
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-238338   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド