特許
J-GLOBAL ID:202103003700447561
グラフェンの作製方法及びそれによって作製されたグラフェン膜
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
峰松 勝也
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-160322
公開番号(公開出願番号):特開2018-027865
特許番号:特許第6894606号
出願日: 2016年08月18日
公開日(公表日): 2018年02月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 減圧雰囲気中で基板上にグラフェンを成長させる気相成長法において、
グラフェン成長時の基板温度が500°C以上であり、一酸化炭素によって形成される酸化緩和雰囲気が設けられていることを特徴とするグラフェン作製方法。
IPC (6件):
C01B 32/188 ( 201 7.01)
, B82B 1/00 ( 200 6.01)
, H01B 5/14 ( 200 6.01)
, B82Y 40/00 ( 201 1.01)
, B82Y 30/00 ( 201 1.01)
, H01B 13/00 ( 200 6.01)
FI (6件):
C01B 32/188
, B82B 1/00 ZNM
, H01B 5/14 A
, B82Y 40/00
, B82Y 30/00
, H01B 13/00 503 B
引用特許:
審査官引用 (1件)
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透明電極
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-209553
出願人:株式会社カネカ
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