特許

J-GLOBAL ID：202103004129156836

自立グラフェン膜の製造方法

発明者： 川合 健太郎
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (3件)： 上代 哲司 ,  神野 直美 ,  清水 敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-160340
公開番号（公開出願番号）：特開2021-038434
出願日： 2019年09月03日
公開日（公表日）： 2021年03月11日
要約：

【課題】透孔が設けられたSi基板などの自立基板上に、直接、グラフェンを自立膜として形成する自立グラフェン膜の効率的な製造技術を提供する。【解決手段】CVD法を用いて自立グラフェン膜を形成する自立グラフェン膜の製造方法であって、透孔が設けられた基板を水平に配置した後、基板上に、透孔を塞ぐようにGaの液滴を滴下させるGa液滴滴下工程と、Gaが滴下された基板をチャンバー内に設置した後、チャンバー内にキャリアガスと原料ガスの混合ガスを導入して、所定の温度プロファイルで加熱することにより、基板上の孔を塞ぐように、グラフェン膜を形成させるグラフェン膜形成工程と、グラフェン膜の形成後、Gaの液滴を除去して、基板上に形成されたグラフェン膜を自立グラフェン膜として形成する自立グラフェン膜形成工程とを備えている自立グラフェン膜の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

CVD法を用いて自立グラフェン膜を形成する自立グラフェン膜の製造方法であって、 透孔が設けられた基板を水平に配置した後、前記基板上に、前記透孔を塞ぐようにGaの液滴を滴下させるGa液滴滴下工程と、 Gaが滴下された前記基板をチャンバー内に設置した後、前記チャンバー内にキャリアガスと原料ガスの混合ガスを導入して、所定の温度プロファイルで加熱することにより、前記基板上の前記透孔を塞ぐように、グラフェン膜を形成させるグラフェン膜形成工程と、 グラフェン膜の形成後、前記Gaの液滴を除去して、前記基板上に形成された前記グラフェン膜を自立グラフェン膜として形成する自立グラフェン膜形成工程とを備えていることを特徴とする自立グラフェン膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/01 ,  C01B 32/186

FI (3件)：

C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C01B32/186

Fターム (28件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA11 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146BC43 ,  4G146DA03 ,  4G146DA47 ,  4G146DA48 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA27 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10