特許
J-GLOBAL ID：202103004878454568
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-138837
公開番号（公開出願番号）：特開2018-010970
特許番号：特許第6834207号
出願日： 2016年07月13日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、
前記窒化物半導体層に対するn型またはp型不純物を前記窒化物半導体層の予め定められた領域に注入する段階と、
少なくとも前記予め定められた領域上に直接接する窒化物の第1の保護膜を原子層堆積法により形成する段階と、
前記原子層堆積法とは異なる方法により、前記第1の保護膜上に直接接し、前記第1の保護膜よりも厚い第2の保護膜を形成する段階と、
前記窒化物半導体層、前記第1の保護膜および前記第2の保護膜を1300°C以上の温度でアニールする段階と
を備え、
前記第2の保護膜は、スパッタリング法で成膜される、
半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, C23C 16/56 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
H01L 21/265 602 A
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 C
, C23C 16/56
, C23C 16/42
, C23C 16/34
