特許

J-GLOBAL ID：202103005845425402

半導体発光素子アレイ

発明者： 若原 昭浩
出願人/特許権者： 国立大学法人豊橋技術科学大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-026001
公開番号（公開出願番号）：特開2021-132092
出願日： 2020年02月19日
公開日（公表日）： 2021年09月09日
要約：

【課題】モノリシックマイクロLEDアレイを集積化する際に課題となる、高電流密度による配線の信頼性の低下等の配線問題を解決した構成のマイクロLEDアレイを提供する。【解決手段】本モノリシックマイクロLEDアレイの発光部を搭載した基板と、制御信号回路とドライブ回路を一対で構成した駆動回路部を搭載した基板とを配線を介さずに一体形成する。ドライブ回路に、縦型構造のトランジスタを採用することで、微細配線を使用せずに、LEDアレイへ駆動電流を供給する構造が可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体発光素子を2次元的に配置した発光部と、複数の半導体スイッチング素子を2次元的に配置したスイッチング部からなる半導体発光素子アレイであって、 前記発光部は、第1の半導体基板上に複数の半導体発光素子が形成され、第1の半導体基板の表面に半導体発光素子を駆動するための第1及び第2の駆動電極を有し、第1の半導体基板の裏面に発光面を有し、 前記スイッチング部は、第2の半導体基板上に複数の半導体スイッチング素子が形成され、複数の半導体スイッチング素子は、各々第1及び第2の電極及び、第1及び第2の電極間に流れる電流をON/OFFする第3の電極を有し、半導体スイッチング素子の第1及び第3の電極は第2の半導体基板の表面に形成され、半導体スイッチング素子の第2の電極は第2の半導体基板の裏面に形成され、 第1の半導体基板の表面に形成された半導体発光素子の第1の駆動電極と、第2の半導体基板の表面に形成された半導体スイッチング素子の第1の電極が対向して配置され、 第1の半導体基板の表面に形成された、半導体発光素子の所定の第1の駆動電極と第2の半導体基板の表面に形成された半導体スイッチング素子の所定の第1の電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体発光素子アレイ。

IPC (10件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 33/48 ,  G09F 9/33 ,  G09F 9/30 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/00

FI (13件)：

H01L27/088 E ,  H01L33/48 ,  G09F9/33 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658K ,  H01L29/78 656C ,  H01L29/78 656Z ,  H01L27/00 301B

Fターム (30件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5C094AA32 ,  5C094BA03 ,  5C094BA26 ,  5C094CA19 ,  5C094DB01 ,  5C094EB05 ,  5F048AA01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA07 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BC18 ,  5F048BD06 ,  5F048BF02 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB07 ,  5F142AA31 ,  5F142BA32 ,  5F142CB23 ,  5F142DB24