特許
J-GLOBAL ID：202103006193946649
マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 津国
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-552370
特許番号：特許第6789972号
出願日： 2016年11月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に下地膜及び多層反射膜を備える多層反射膜付き基板であって、
前記下地膜上に、露光光であるEUV光を反射するための多層反射膜を有し、
190nm以上280nm以下の波長範囲において、前記下地膜は、前記基板よりも小さい屈折率を有する材料で形成され、
190nm以上280nm以下の波長範囲における前記基板の表面に配置された前記下地膜の反射率が、前記基板の反射率より小さいことを特徴とする多層反射膜付き基板。
IPC (2件)：
G03F 1/24 ( 201 2.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
G03F 1/24
, G03F 7/20 521
