特許
J-GLOBAL ID：201503016008476353
反射型マスク及び反射型マスクブランク並びにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-219217
公開番号（公開出願番号）：特開2015-082553
出願日： 2013年10月22日
公開日（公表日）： 2015年04月27日
要約：
【課題】アウトオブバンド光の反射を低減した反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域に形成された遮光枠11において、裏面導電膜5および基板1表面から反射されるアウトオブバンド光に対して、逆位相で表面反射する反射防止層12を設ける事により、アウトオブバンド光の反射を低減した反射型マスク101を提供する事ができる。また、従来の遮光帯付マスクではパターン領域が電子顕微鏡で観察時にチャージアップする問題があるが、本発明の反射防止層12は1x10の4乗/mΩ以上の導電率を有するので、遮光帯により発生するパターン領域のチャージアップを抑制できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、前記吸収層に形成される回路パターン領域の外側の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたEUV光およびアウトオブバンド光の反射率の低い遮光枠を有し、前記遮光枠部の基板上に反射防止層を有することを特徴とする反射型マスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/24
2H095BA10
, 2H095BB25
, 2H095BC13
, 2H095BC14
, 2H195BA10
, 2H195BB25
, 2H195BC13
, 2H195BC14
, 2H195CA01
, 2H195CA07
, 2H195CA16
, 2H195CA24
, 5F146GD01
, 5F146GD07
, 5F146GD16
, 5F146GD24
