特許
J-GLOBAL ID：202103007097127021
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-235998
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093083
特許番号：特許第6814035号
出願日： 2016年12月05日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた縦型ホール素子とを有する半導体装置であって、
前記縦型ホール素子は、
前記半導体基板上に設けられ、濃度分布が一定である第2導電型の半導体層と、
前記半導体層上に設けられ、前記半導体層よりも高濃度の第2導電型の不純物拡散層と、
前記不純物拡散層の表面に一直線上に設けられ、前記不純物拡散層よりも高濃度の第2導電型の不純物領域からなる複数の電極と、
前記不純物拡散層の表面において、前記複数の電極の各電極間にそれぞれ設けられ、前記複数の電極をそれぞれ分離する複数の第1導電型の電極分離拡散層とを備え、
前記不純物拡散層は、前記表面から前記半導体層へ進むにつれて低濃度となる濃度分布を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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