特許

J-GLOBAL ID：202103007416920600

金属膜の生成方法

発明者： アベルス,ファルコ ,  シュヴァインフルト,ダフィット ドミニク ,  マトス,カール ,  レッフラー,ダニエル ,  アールフ,マライケ ,  ブラスベルク,フロリアン ,  シャオプ,トマス ,  シュピールマン,ヤン ,  キルシュテ,アクセル ,  ガスパール,ボリス
出願人/特許権者： ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエア
代理人 (1件)： 江藤 聡明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-546760
特許番号：特許第6854294号
出願日： 2016年11月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 金属膜を製造する方法であって、 (a)金属含有化合物を気体状態から固体基材上に堆積させること、 (b)堆積させた前記金属含有化合物を含有する前記固体基材を、気体状態で又は溶液中で還元剤と接触させること、 を含み、 前記還元剤はカルベン、シリレン又はリンラジカルであるか、又はカルベン、シリレン又はリンラジカルを前記固体基材の表面で少なくとも部分的に形成し、 前記カルベンは、一般式(I)、(II)、(IVa)、(IVb)、(Va)又は(Vb)の化合物である方法 (式中、Rは、水素、アルキル基、アルケニル基、アリール基又はシリル基であり、 Xは、C、Si又はPであり、 Yは、S、NR又はCR2であり、 Zは、存在しないか、H、アルキル、ハロゲン、アミン、PR2又はホウ素種であり、及び nは、0、1又は2である。)。

IPC (1件)：

C23C 16/455 ( 200 6.01)

FI (1件)：

C23C 16/455

引用特許：

審査官引用 (1件)

• N-ヘテロ環状カルベン類、N-ヘテロ環状カルベン配位子を有する金属錯体類、及びランタノイド化合物を用いてシラン及びシクロシランをポリマー化する方法、及び、これにより形成されるインク組成物、並びに半導体フィルムを形成する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-522805   出願人：コヴィオインコーポレイテッド