特許

J-GLOBAL ID：202103008469536183

磁歪材料およびそれを用いた磁歪式デバイス

発明者： 中村 太一 ,  秦 誠一 ,  岡 智絵美 ,  山崎 貴大
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (4件)： 松谷 道子 ,  江間 晴彦 ,  吉田 環 ,  鮫島 睦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-076871
公開番号（公開出願番号）：特開2021-172850
出願日： 2020年04月23日
公開日（公表日）： 2021年11月01日
要約：

【課題】大きい磁歪量を発現できる磁歪材料を提供する。【解決手段】磁歪材料は、次式(1): Fe(100-x-y)GaxSmy (1)(式中、合金を構成するFe原子、Ga原子およびSm原子の総数を基準として、xはGa含有率(at%)、yはSm含有率(at%)であり、xおよびyは、x-y直交座標系において、不等式:y≦0.33x-0.67、y≧1.5x-24およびy≧0.25x+7.5を満たす)で表されるFeGaSm合金から成る。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

FeGaSmの3元系合金から成る磁歪材料であって、次式(1): Fe(100-x-y)GaxSmy (1) (式中、合金を構成するFe原子、Ga原子およびSm原子の総数を基準として、xはGa含有率(at%)、yはSm含有率(at%)であり、xおよびyは、x-y直交座標系において、不等式:y≦0.33x-0.67、y≧1.5x-24およびy≧0.25x+7.5を満たす) で表されるFeGaSm合金から成る磁歪材料。

IPC (5件)：

C22C 38/00 ,  H01L 41/12 ,  H01L 41/20 ,  H01L 41/47 ,  C23C 14/14

FI (5件)：

C22C38/00 303Z ,  H01L41/12 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  C23C14/14 F

Fターム (11件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA26 ,  4K029BB08 ,  4K029BC06 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC16 ,  4K029DC32 ,  4K029EA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁歪材料およびそれを用いた磁歪式デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2018-058319   出願人：パナソニックIPマネジメント株式会社