特許
J-GLOBAL ID：202103008744047716

相変化メモリデバイスにおける材料を有する、相変化メモリ構造体、相変化メモリセル、相変化メモリ構造体および電極の製造方法

発明者：
ソンシニ、ヴァルター

ソンシニ、ヴァルター について

, 
エルベッタ、ダヴィデ

エルベッタ、ダヴィデ について


出願人/特許権者：
インテル・コーポレーション

インテル・コーポレーション について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-541946
特許番号：特許第6835330号
出願日： 2016年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 相変化メモリ構造体であって、 メモリセルの相変化材料と、 前記相変化材料とオーミック接触を形成する電極材料と、 前記電極材料に約10から約100mOhm・cmの抵抗率を提供する、前記電極材料内で拡散されるドーパントと、 を備え、 前記電極材料は、シリコンがドープされた非晶質炭素を含む、 相変化メモリ構造体。
IPC (3件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/105 449 ,  H01L 45/00 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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