特許

J-GLOBAL ID：202103008753609654

強誘電体セラミックス及びその製造方法

発明者： 木島 健 ,  茂内 健和
出願人/特許権者： アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社
代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-526328
特許番号：特許第6813758号
出願日： 2016年06月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Sr(Ti1-wRuw)O3膜と、 前記Sr(Ti1-wRuw)O3膜上に形成されたPb(Zr1-ATiA)O3膜と、 前記Pb(Zr1-ATiA)O3膜上に形成されたPb(Zr1-x-zTixNbz)O3膜と、 前記Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3膜上に形成されたPb(Zr1-y-zTiyNbz)O3膜と、 を具備し、 前記A、前記w、前記x、前記y及び前記zは下記の式1、式2、式3、式6、式8及び式11を満たすことを特徴とする強誘電体セラミックス。 0.24<x≦0.45 ・・・式1 0.45≦y<0.76 ・・・式2 x+0.05<y ・・・式3 0≦A≦0.1 ・・・式6 0.01≦w≦0.4 ・・・式8 0≦z≦0.03 ・・・式11

IPC (8件)：

H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 41/43 ( 201 3.01) ,  H01L 41/29 ( 201 3.01) ,  H01L 41/318 ( 201 3.01) ,  H01L 41/319 ( 201 3.01) ,  H01L 41/316 ( 201 3.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  C04B 35/491 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/43 ,  H01L 41/29 ,  H01L 41/318 ,  H01L 41/319 ,  H01L 41/316 ,  C23C 14/08 K ,  C04B 35/491

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 圧電体薄膜素子及びそのエージング処理方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット式記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-045076   出願人：松下電器産業株式会社
• 圧電体素子、インクジェットヘッド、およびインクジェット式記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-245225   出願人：松下電器産業株式会社
• 強誘電体膜の製膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-315276   出願人：富士通株式会社
• 強誘電体セラミックス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-238994   出願人：株式会社ユーテック