特許

J-GLOBAL ID：202103009321675288

ゲート構造を含む光変調素子

発明者： ハン,スンフン ,  ファン,ヤオ-ウェイ ,  アトウォーター,ハリー,エー. ,  リ,ホ,ワイ ,  ソーコヤン,ルザン ,  パパダキス,ジョージア ,  スアガラジャン,クリシュナン
出願人/特許権者： サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ,  カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー
代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-536574
特許番号：特許第6849597号
出願日： 2016年02月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 プラズモニック・ナノアンテナ層と、 金属層と、 前記プラズモニック・ナノアンテナ層と前記金属層との間に配置され、外部信号によって誘電率が変わる誘電率変化層と、 前記プラズモニック・ナノアンテナ層と前記金属層との間に配置される誘電体層と、 前記誘電率変化層の誘電率変化を起こす信号を印加する信号印加手段と、 を含み、 前記プラズモニック・ナノアンテナ層は、 第1方向に沿って離隔配置された複数のナノアンテナラインを含み、 前記複数のナノアンテナラインそれぞれは、前記第1方向と異なる第2方向に沿って連結された複数のナノアンテナを含み、 前記信号印加手段は電圧印加手段であり、当該電圧印加手段は、前記複数のナノアンテナラインそれぞれと前記金属層との間に、独立して電圧を印加する、光変調素子。

IPC (3件)：

G02F 1/03 ( 200 6.01) ,  G02F 1/29 ( 200 6.01) ,  B82Y 20/00 ( 201 1.01)

FI (4件)：

G02F 1/03 505 ,  G02F 1/03 503 ,  G02F 1/29 ,  B82Y 20/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 波長以下の径の貫通孔を有する金属薄膜を利用する光透過制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-099149   出願人：日本電気株式会社