窒化物半導体トランジスタ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：下坂スミ子 , 川成渉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-166835
公開番号（公開出願番号）：特開2021-044464
出願日： 2019年09月13日
公開日（公表日）： 2021年03月18日
要約：

【課題】スイッチとしての性能に優れるノーマリオフ窒化物半導体トランジスタ装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体トランジスタ装置において、基板101と、基板上に設けられた素子分離領域114と、基板上に設けられた第1の窒化物半導体層103と、第1の窒化物半導体層上に設けられ、第1の窒化物半導体層よりバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層104と、第2の窒化物半導体層上に設けられた第1の絶縁膜110と、第1の絶縁膜上に設けられた電荷蓄積用ゲート電極111と、電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第2の絶縁膜112と、第2の絶縁膜上に設けられた第1のゲート電極116と、面方向に電荷蓄積用ゲート電極を挟んで第2の窒化物半導体層上に設けられたソース電極109及びドレイン電極210と、電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第3の絶縁膜115と、第3の絶縁膜上に設けられた第2のゲート電極117と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられた電気的に不活性な素子分離領域と、前記基板上に設けられた窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に設けられた第1の絶縁膜と、少なくとも前記第1の絶縁膜上に設けられた電荷蓄積用ゲート電極と、前記電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられた第1のゲート電極と、面方向に前記電荷蓄積用ゲート電極を挟んで前記窒化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に設けられた第2のゲート電極と、を有することを特徴とする窒化物半導体トランジスタ装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 301X

Fターム (32件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR13 , 5F102GS10 , 5F102GV03 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC10 , 5F140AA02 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB18 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BF35 , 5F140BF42

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-091098 出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
半導体装置及び半導体装置の動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-060192 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

前のページに戻る