特許
J-GLOBAL ID：202103011135406352

窒化物半導体トランジスタ装置

発明者：
寺本 章伸

寺本 章伸 について

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黒田 理人

黒田 理人 について

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諏訪 智之

諏訪 智之 について

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白田 理一郎

白田 理一郎 について

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高谷 信一郎

高谷 信一郎 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について

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白田 理一郎

白田 理一郎 について

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高谷 信一郎

高谷 信一郎 について


代理人 (2件)： 下坂 スミ子 ,  川成 渉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-166835
公開番号（公開出願番号）：特開2021-044464
出願日： 2019年09月13日
公開日（公表日）： 2021年03月18日
要約：
【課題】スイッチとしての性能に優れるノーマリオフ窒化物半導体トランジスタ装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体トランジスタ装置において、基板101と、基板上に設けられた素子分離領域114と、基板上に設けられた第1の窒化物半導体層103と、第1の窒化物半導体層上に設けられ、第1の窒化物半導体層よりバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層104と、第2の窒化物半導体層上に設けられた第1の絶縁膜110と、第1の絶縁膜上に設けられた電荷蓄積用ゲート電極111と、電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第2の絶縁膜112と、第2の絶縁膜上に設けられた第1のゲート電極116と、面方向に電荷蓄積用ゲート電極を挟んで第2の窒化物半導体層上に設けられたソース電極109及びドレイン電極210と、電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第3の絶縁膜115と、第3の絶縁膜上に設けられた第2のゲート電極117と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に設けられた電気的に不活性な素子分離領域と、前記基板上に設けられた窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に設けられた第1の絶縁膜と、少なくとも前記第1の絶縁膜上に設けられた電荷蓄積用ゲート電極と、前記電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられた第1のゲート電極と、面方向に前記電荷蓄積用ゲート電極を挟んで前記窒化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に設けられた第2のゲート電極と、を有することを特徴とする窒化物半導体トランジスタ装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301X
Fターム (32件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR13 ,  5F102GS10 ,  5F102GV03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC10 ,  5F140AA02 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BF35 ,  5F140BF42
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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