特許
J-GLOBAL ID：202103011139472406
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-090036
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213454
特許番号：特許第6809808号
出願日： 2016年04月28日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第1のトランジスタは、
第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、
前記第1の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上面に接し、第2のゲート電極として機能する第2の酸化物半導体膜と、
前記第2の酸化物半導体膜の上面に接する第3の絶縁膜と、を有し、
前記第2のトランジスタは、
前記第2の絶縁膜上の上面に接し、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む第3の酸化物半導体膜と、
前記チャネル領域上の第4の絶縁膜と、
前記第4の絶縁膜上の第3のゲート電極と、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接する前記第3の絶縁膜と、を有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G02F 1/1345 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/14 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 617 M
, H01L 29/78 620
, G02F 1/136
, G02F 1/134
, H05B 33/14 A
, H05B 33/14 Z
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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