特許
J-GLOBAL ID：201303094460389251

半導体素子、半導体装置および半導体素子の作製方法

発明者：
竹内 敏彦

竹内 敏彦 について

, 
野田 耕生

野田 耕生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-067798
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229588
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】酸化物半導体薄膜の酸素欠損の発生を抑制できる構造を備える半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子の構造を、ゲート電極と重ならない領域におけるゲート絶縁膜の窒素含有量を、ゲート電極と重なる領域におけるゲート絶縁膜の窒素含有量よりも多くした構造とする。窒化膜は不純物の拡散防止性に優れているため、当該構造を用いることにより、酸化物半導体膜、特にチャネル形成領域から脱離した酸素が半導体素子外部に放出されることを抑制できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上の酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上に形成されるゲート電極と、を有し、 前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と重なる第1の領域と、前記ゲート電極と重ならない第2の領域と、を含み、 前記第2の領域の窒素含有量は、前記第1の領域の窒素含有量よりも多いことを特徴とする半導体素子。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/316
FI (15件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 441 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 681A ,  H01L27/10 681B ,  H01L27/10 681E ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 681F ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 618G
Fターム (182件)：
4K030AA06 ,  4K030AA24 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030LA13 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ03 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083ER02 ,  5F083ER13 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA12 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083LA00 ,  5F083LA11 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA15 ,  5F101BA17 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH01 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F110AA04 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF26 ,  5F110FF31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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