特許
J-GLOBAL ID：202103011368809538
パワー半導体デバイスにおいて電気的接続の劣化状態を確立する診断装置及び方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
曾我 道治
, 梶並 順
, 大宅 一宏
, 上田 俊一
, 吉田 潤一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-523498
特許番号：特許第6972331号
出願日： 2018年10月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 パワー半導体デバイスにおいて電気的接続の劣化状態を確立する方法であって、
a)前記パワー半導体デバイスが第1の状態にあって、第1の電流値及び第1の温度値を受けているとき、前記パワー半導体デバイスの少なくとも第1の電圧降下値を測定するステップと、
b)前記パワー半導体デバイスが第2の状態にあって、第2の電流値及び第2の温度値を受けているとき、前記パワー半導体デバイスの少なくとも第2の電圧降下値を測定するステップであって、前記第2の温度値は、±5°C以内で前記第1の温度値に等しく、2つの以下の条件、すなわち、
前記第1の電流値が第1の閾値に等しく、前記第2の電流値が第2の閾値に等しく、前記第2の閾値が前記第1の閾値より厳密に上位である条件と、
前記第1の状態及び前記第2の状態が、少なくとも、前記パワー半導体デバイスの1つのトランジスタ又は一組のトランジスタのゲートレベルに関して、互いに異なる条件と、
のうちの少なくとも一方が満たされる、測定するステップと、
c)少なくとも2つの前記第1の電圧降下値及び前記第2の電圧降下値を較正データとして保存するステップと、
d)動作条件で、電流と、前記パワー半導体デバイスの動作状態を表す少なくとも1つのパラメータとをモニタリングするステップと、
e)前記パワー半導体デバイスの少なくとも第3の電圧降下値を、
前記パワー半導体デバイスの公称電流の±5%以内で前記第1の電流値に等しい電流下で、かつ、
前記少なくとも1つのモニタリングされるパラメータが、前記パワー半導体デバイスの動作状態に関連して事前に定義された第1の組と、前記パワー半導体デバイスの第3の温度値とに対応する瞬間に、
測定するステップと、
f)前記パワー半導体デバイスの少なくとも第4の電圧降下値を、
前記パワー半導体デバイスの前記公称電流の±5%以内で前記第2の電流値に等しい電流下で、かつ、
前記少なくとも1つのモニタリングされるパラメータが、前記パワー半導体デバイスの動作状態に関連して事前に定義された第2の組と、±5°C以内で前記第3の温度値に等しい前記パワー半導体デバイスの第4の温度値とに対応する瞬間に、
測定するステップと、
g)少なくとも2つの前記第3の電圧降下値及び前記第4の電圧降下値を動作データとして保存するステップと、
h)前記較正データ及び前記動作データの関数として、前記パワー半導体デバイスの劣化状態を推定するように、数値指標を計算するステップと、
を含む、方法。
IPC (4件)：
G01R 31/26 ( 202 0.01)
, G01R 35/00 ( 200 6.01)
, G01R 31/00 ( 200 6.01)
, H02M 7/48 ( 200 7.01)
G01R 31/26 A
, G01R 31/26 B
, G01R 35/00 E
, G01R 31/00
, H02M 7/48 M
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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