光検出器及び撮像装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 加藤隆夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-161921
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032663
特許番号：特許第6880601号
出願日： 2016年08月22日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下部コンタクト層と、前記下部コンタクト層の上に形成された第1の波長の光に対して感度を有する第1の受光層と、前記第1の受光層の上に形成された中間コンタクト層と、前記中間コンタクト層の上に形成された第2の波長の光に対して感度を有する第2の受光層と、前記第2の受光層の上に形成された上部コンタクト層と、を有し、前記第1の受光層と前記中間コンタクト層との間に、第1の障壁層が形成されており、前記第2の受光層と前記中間コンタクト層との間に、第2の障壁層が形成されており、前記第1の障壁層と前記中間コンタクト層との間に、第1の緩衝層が形成されており、前記第2の障壁層と前記中間コンタクト層との間に、第2の緩衝層が形成されており、前記第1の障壁層は、前記第1の受光層よりもバンドギャップの広い材料により形成されており、前記第2の障壁層は、前記第2の受光層よりもバンドギャップの広い材料により形成されており、前記下部コンタクト層、前記中間コンタクト層、前記上部コンタクト層は、半導体材料に不純物元素がドープされており、前記第1の緩衝層及び前記第2の緩衝層における不純物濃度は、前記中間コンタクト層における不純物濃度よりも低いことを特徴とする光検出器。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ( 200 6.01) , H01L 27/146 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/146 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-047230 出願人：三菱電機株式会社
イメージセンサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-015901 出願人：富士通株式会社
半導体ダイオード装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-550322 出願人：キネテイツク・リミテツド

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