特許
J-GLOBAL ID：202103012267514177
半導体装置およびモジュール型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-204332
公開番号（公開出願番号）：特開2018-067592
特許番号：特許第6822056号
出願日： 2016年10月18日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板に配置された半導体素子と、
前記半導体基板のおもて面上に設けられ、前記半導体素子に電気的に接続された電極層と、
前記電極層の表面上に選択的に設けられた電極膜と、
前記電極膜にはんだ接合され、前記電極層の電位を外部に取り出す外部接続用端子と、
前記電極層の表面上の前記電極膜以外の部分に、前記電極膜に接して設けられた第1保護膜と、
前記電極膜と前記第1保護膜との境界を覆う第2保護膜と、
を備え、
前記第2保護膜の前記電極膜側の側面は、前記第2保護膜と前記電極膜とが接触する第1面に対して、前記第2保護膜の内部で鋭角となる第1角度をなし、
前記第2保護膜は、前記第1面に平行で、かつ前記第1面よりも幅の狭い第2面を有する台形状の断面形状であり、
前記第2保護膜の前記電極膜側の側面は、前記第2面に対して、前記第2保護膜の内部で鈍角となる第2角度をなしていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
H01L 29/78 658 J
, H01L 25/04 C
, H01L 21/60 301 N
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 F
