特許

J-GLOBAL ID：200903069764519529

半導体装置とその製造方法

発明者： 金田 哲弥 ,  梅川 真一 ,  寺田 浩二 ,  高橋 泰
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-352521
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158113
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】 半導体装置の保護膜に蓄積する負の電荷によって、半導体基板内の電荷バランスが崩れ、半導体装置の耐圧が低下してしまう。本発明は、簡便な方法を利用して、前記課題を解決することを目的としている。【解決手段】 半導体装置10は、回路素子が作り込まれている半導体基板35と、その半導体基板35上に形成されている絶縁性の保護膜46を備えている。保護膜46の表面47には、水酸基(OH)が結合している。これにより、保護膜46の表面47は、水滴との接触角が40°以下になっている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

回路素子が作り込まれている半導体基板と、 その半導体基板上に形成されている絶縁性の保護膜を備えており、 前記保護膜の表面は、水滴との接触角が40°以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/283 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L21/312 B ,  H01L21/283 B ,  H01L21/283 C ,  H01L21/90 J

Fターム (23件)：

4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F058AA10 ,  5F058AC04 ,  5F058AF04 ,  5F058AG07 ,  5F058AG08 ,  5F058AH03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172627   出願人：現代電子産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 膜形成方法、積層膜、絶縁膜ならびに半導体用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-307909   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 発光装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-319685   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• ポリイミド膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-246658   出願人：日本ゼオン株式会社, 富士通株式会社
• ケイ素ポリマー組成物および絶縁膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182604   出願人：株式会社東芝