特許

J-GLOBAL ID：202103012313880507

LEDアレイ及びそれを形成する方法

発明者： タンドン,アシシュ ,  シャルマ,ラジャット ,  フレミッシュ,ヨーゼフ ロバート ,  パポウ,アンドレイ ,  ユ,ウェン ,  ヤング,エリック ,  シェン,ユ-チェン ,  ゴードン,ルーク
出願人/特許権者： ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  宮崎 修
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-534531
公開番号（公開出願番号）：特表2021-507539
出願日： 2018年12月20日
公開日（公表日）： 2021年02月22日
要約：

デバイスは、エピタキシャル層の第1の表面上の第1の分離領域と第2の分離領域との間のメタルコンタクトを含み得る。当該デバイスは、第1の分離領域及び第2の分離領域に対して遠位の前記エピタキシャル層の第2の表面上の第1の側壁及び第2の側壁を含み得る。当該デバイスは、第1の側壁と2の側壁との間の前記エピタキシャル層上の波長変換層を含み得る。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル層の第1の表面上の第1の分離領域と第2の分離領域との間のメタルコンタクトと、 前記第1の分離領域及び前記第2の分離領域に対して遠位の前記エピタキシャル層の第2の表面上の第1の側壁及び第2の側壁と、 前記第1の側壁と前記第2の側壁との間の前記エピタキシャル層上の波長変換層と、 を有するデバイス。

IPC (2件)：

H01L 33/38 ,  H01L 33/50

FI (2件)：

H01L33/38 ,  H01L33/50

Fターム (12件)：

5F142DA14 ,  5F142FA26 ,  5F142GA29 ,  5F241CA37 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA66 ,  5F241CA74 ,  5F241CA93 ,  5F241CB25 ,  5F241CB36 ,  5F241FF06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• オプトエレクトロニクス半導体チップおよびオプトエレクトロニクス半導体チップを製造するための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2017-507404   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• III族窒化物半導体発光素子とその製造方法と実装体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-194999   出願人：豊田合成株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-199984   出願人：株式会社東芝