特許
J-GLOBAL ID：202103012365282039
SiOおよびSiNを含む流動性膜を堆積させる方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
田中 伸一郎
, 弟子丸 健
, ▲吉▼田 和彦
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
, 近藤 直樹
, 那須 威夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-520080
特許番号：特許第6929279号
出願日： 2016年10月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】SiNを含む膜を堆積させる方法であって、
基板表面をシラザンの前駆体に曝すステップと、
前記基板表面をプラズマ活性化共反応体に曝してSiON中間膜をもたらすステップと、
前記SiON中間膜をUV硬化させて、硬化させた中間膜をもたらすステップと、
前記硬化させた中間膜をアニールして、SiNを含む膜をもたらすステップと、
を含む方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
, C23C 16/50 ( 200 6.01)
H01L 21/318 B
, H01L 21/205
, C23C 16/42
, C23C 16/455
, C23C 16/50
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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