半導体デバイス、その製造装置及び製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：沢田雅男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-201588
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103495
出願日： 2009年09月01日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

【課題】酸化膜の形成に自由度をもたせる。低温で窒素成分を低減または含まない酸化膜を形成する。バッチ方式の成長装置にて低温で厚い酸化膜膜を形成する。【解決手段】アルキル基或いはアルコキシ基を含むシリコン系のガス又はシロキサンガス又はシラザンガスと、前記ガスを酸化させる酸化剤とを、減圧状態で500°C以下の温度下で反応させる。前記ガスに対して、シランガス、ジシランガス、リン系ガス、又は、ボロン系ガスを添加剤として反応させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

アルキル基、アルコキシ基及びアミノ基から選ばれる少なくとも1種を含むシラン系ガス又はシロキサン系ガス又はシラザン系ガスを供給する手段と、酸化剤を供給する手段と、前記ガスと酸化剤を減圧状態で500°C以下の温度下で反応させる手段を備える半導体デバイスの製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/42 , C23C 16/50 , C23C 16/56 , H01L 21/76

FI (6件)：

H01L21/316 X , H01L21/31 C , C23C16/42 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/76 L

Fターム (42件)：

4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030JA10 , 4K030KA02 , 4K030KA04 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA78 , 5F032DA01 , 5F032DA03 , 5F032DA34 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F058BC02 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH03 , 5F058BH17 , 5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-043696 出願人：三菱電機株式会社
シリコン含有前駆物質と原子酸素を用いた高品質流動状二酸化シリコンの化学気相堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-513437 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
シリコン酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-077608 出願人：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

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