特許
J-GLOBAL ID：202103013093036595
改善された金属コンタクトランディング構造
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
園田・小林特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-505328
特許番号：特許第6886557号
出願日： 2018年07月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体構造を形成する方法であって、
処理チャンバの遠隔プラズマ領域でフッ素含有前駆体のプラズマを形成すること;
半導体基板を前記プラズマの放出物と接触させることであって、前記半導体基板が前記処理チャンバの処理領域に収容される、接触させること;
露出した窒化物材料を前記プラズマの放出物で選択的に洗浄すること;及び
その後、前記洗浄した窒化物材料上にキャップ材料を堆積させることであって、該キャップ材料が誘電体材料の露出領域に対して前記窒化物材料上に選択的に堆積される、堆積させること
を含む、半導体構造を形成する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 21/316 X
, H01L 21/302 102
