特許
J-GLOBAL ID：201603006805631537

窒化ケイ素の選択的なエッチング

発明者：
チェン, チーチュン

チェン, チーチュン について

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リー, ツーホイ

リー, ツーホイ について

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ワン, アンチョアン

ワン, アンチョアン について

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イングル, ニティン ケー.

イングル, ニティン ケー. について

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ヴェンカタラマン, シャンカー

ヴェンカタラマン, シャンカー について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-541971
公開番号（公開出願番号）：特表2016-537824
出願日： 2014年07月31日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
要約：
パターン形成されたヘテロジニアス構造上で窒化ケイ素をエッチングする方法が、説明され、それはフッ素含有前駆体並びに窒素及び酸素含有前駆体から生成される遠隔プラズのマエッチングを含む。2つの遠隔プラズマからのプラズマ流出物が、基板処理領域の中に流され、そこでプラズマ流出物は窒化ケイ素と反応する。プラズマ流出物はパターン形成されたヘテロジニアス構造と反応し、ポリシリコンなどのケイ素を非常に遅く除去する一方で、選択的に窒化ケイ素を除去する。直列又は並列に配置され得る異なった(しかし、重なっている可能性もある)プラズマ経路を用いて、フッ素含有前駆体並びに窒素及び酸素含有前駆体を導入することによって、部分的に、窒化ケイ素の選択性がもたらされる。【選択図】図3A
請求項（抜粋）：
パターン形成された基板をエッチングする方法であって、前記方法が、 露出された窒化ケイ素を有する前記パターン形成された基板を、基板処理チャンバの基板処理領域の中へ移送すること、 窒素及び酸素含有前駆体を、第2の遠隔プラズマ領域に流体結合された第1の遠隔プラズマ領域の中へ流しながら、前記第1の遠隔プラズマ領域内で第1の遠隔プラズマを生成して、酸化性プラズマ流出物を生み出すこと、 フッ素含有前駆体を、前記基板処理領域に流体結合された前記第2の遠隔プラズマ領域の中へ流しながら、前記第2の遠隔プラズマ領域内で第2の遠隔プラズマを生成して、エッチングプラズマ流出物を生み出すことであって、前記酸化性プラズマ流出物が前記第2の遠隔プラズマ内で更に励起される、エッチングプラズマ流出物を生み出すこと、 前記酸化性プラズマ流出物及び前記エッチングプラズマ流出物の各々を、シャワーヘッド内の貫通孔を通して前記基板処理領域の中へ流すこと、並びに 前記露出された窒化ケイ素をエッチングすることであって、前記パターン形成された基板が露出されたケイ素を更に含む、エッチングすることを含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  H05H1/46 A ,  H05H1/46 L
Fターム (44件)：
2G084AA02 ,  2G084AA03 ,  2G084AA04 ,  2G084AA05 ,  2G084AA15 ,  2G084BB01 ,  2G084BB04 ,  2G084BB05 ,  2G084BB06 ,  2G084BB11 ,  2G084BB12 ,  2G084BB14 ,  2G084BB29 ,  2G084CC03 ,  2G084CC04 ,  2G084CC06 ,  2G084CC12 ,  2G084CC13 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD03 ,  2G084DD37 ,  2G084DD38 ,  2G084FF01 ,  2G084FF02 ,  2G084FF14 ,  2G084FF22 ,  2G084FF23 ,  2G084FF40 ,  2G084HH02 ,  2G084HH16 ,  2G084HH20 ,  2G084HH44 ,  2G084HH47 ,  5F004AA02 ,  5F004BA03 ,  5F004BB28 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DA28 ,  5F004DB07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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