特許
J-GLOBAL ID：202103014382503335
窒化物半導体テンプレートの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-236873
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093112
特許番号：特許第6810406号
出願日： 2016年12月06日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法であって、
前記基板上に、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程と、
前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程と、
前記アニール工程後の前記第一層上に、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層を気相成長によりエピタキシャル成長させて形成し、前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程と、
を備え、
前記アニール工程後の前記第一層の表面の表面粗さRMSを、前記第一層形成工程後で前記アニール工程前における前記第一層の表面の表面粗さRMSよりも大きくする
窒化物半導体テンプレートの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
, C23C 16/56 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 21/20
, C30B 29/38 C
, C23C 16/34
, C23C 16/56
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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