特許
J-GLOBAL ID：202103014694717316
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (7件)：
天野 一規
, 池田 義典
, 小川 博生
, 石田 耕治
, 各務 幸樹
, 藤中 賢一
, 天野 一規
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-160898
公開番号（公開出願番号）：特開2017-040918
特許番号：特許第6809843号
出願日： 2016年08月18日
公開日（公表日）： 2017年02月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成された反射防止膜上に化学増幅型レジスト材料を使用してレジスト材料膜を形成する膜形成工程と、
上記レジスト材料膜に、電離放射線又は400nm以下の波長を有する非電離放射線を照射するパターン露光工程と、
上記パターン露光工程後の上記レジスト材料膜に、上記パターン露光工程における非電離放射線より長く、かつ200nmを超える波長を有する非電離放射線を照射する一括露光工程と、
上記一括露光工程後の上記レジスト材料膜を加熱するベーク工程と、
上記ベーク工程後の上記レジスト材料膜を現像液に接触させる現像工程と
を備え、
上記一括露光工程で照射する上記非電離放射線における上記反射防止膜の消衰係数が0.1以上であり、
上記化学増幅型レジスト材料が、
(1)酸の作用により上記現像液に可溶又は不溶となるベース成分と、
(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分と
を含み、
上記(2)成分が、下記(a)成分、下記(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は下記(a)〜(c)成分の全てを含有し、
上記膜形成工程前に、上記反射防止膜と上記レジスト材料膜との間に、上記一括露光工程の非電離放射線における消衰係数が0.1以下である透明膜を形成するパターン形成方法。
(a)上記パターン露光工程における電離放射線又は非電離放射線の照射によって、酸と、一括露光工程における非電離放射線を吸収する感放射線性増感体とを発生し、かつ上記一括露光工程の際、上記パターン露光工程の未露光部において上記酸及び感放射線性増感体が実質的に発生しない感放射線性酸-増感体発生剤
(b)上記パターン露光工程における電離放射線又は非電離放射線の照射によって、一括露光工程における非電離放射線を吸収する感放射線性増感体を発生し、かつ上記一括露光工程の際、上記パターン露光工程の未露光部において上記感放射線性増感体が実質的に発生しない感放射線性増感体発生剤
(c)上記パターン露光工程における電離放射線又は非電離放射線の照射によって、酸を発生し、かつ上記一括露光工程の際、上記パターン露光工程の未露光部において上記酸が実質的に発生しない感放射線性酸発生剤
IPC (6件)：
G03F 7/38 ( 200 6.01)
, G03F 7/11 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/26 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
G03F 7/38 511
, G03F 7/11 503
, G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 Z
, G03F 7/11 502
, G03F 7/26 511
, G03F 7/20 521
