特許

J-GLOBAL ID：202103017320259208

磁気センサ

発明者： 小笠原 貴大 ,  大兼 幹彦 ,  角田 匡清 ,  安藤 康夫
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-198090
公開番号（公開出願番号）：特開2021-072364
出願日： 2019年10月31日
公開日（公表日）： 2021年05月06日
要約：

【課題】より感度および非線形性に優れた磁気センサを提供する。【解決手段】トンネル磁気抵抗(TMR)素子10を有し、トンネル磁気抵抗素子10は、磁化方向が固定されている固定層11と、磁化方向が変化可能な自由層12と、固定層11と自由層12との間に配置された絶縁層13とを有している。トンネル磁気抵抗素子10は、自由層12の実効異方性磁場をHkeff、2次の異方性磁場をHk2とすると、|Hkeff|<3 kOe、かつ、|Hk2/Hkeff|<0.25 である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トンネル磁気抵抗素子を利用した磁気センサであって、 前記トンネル磁気抵抗素子は、磁化方向が固定されている固定層と、磁化方向が変化可能な自由層と、前記固定層と前記自由層との間に配置された絶縁層とを有し、前記自由層の実効異方性磁場をHkeff、2次の異方性磁場をHk2とすると、 |Hkeff|<3 kOe |Hk2/Hkeff|<0.25 であることを 特徴とする磁気センサ。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/09

FI (5件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  G01R33/09

Fターム (24件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5E049AA04 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA01 ,  5F092AB01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC22 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-217702   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Controlling nonlinearity for magnetic tunnel junction based sensors by second order megnetic anisot