記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：岩田雅信 , 中川裕人 , 鈴木伸夫 , 脇篤夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-217702
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072392
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
要約：

【課題】STT-MRAM記憶素子の熱安定性のさらなる向上を図り、記憶素子のさらなる小型化を可能として、記憶装置の大記憶容量化を促進し、また記憶装置の動作安定性を向上させる。【解決手段】磁化固定層が少なくとも2層の強磁性層と非磁性層とから成る積層フェリピン構造を有したSTT-MRAM記憶素子において、上記磁化固定層中の上記絶縁層と接する磁性材料がCoFeB磁性層で構成され、上記磁化固定層中の上記絶縁層と接しない磁性材料が、Pt族金属元素と、3d遷移金属元素のうちの強磁性元素である強磁性3d遷移金属元素とを少なくとも1種類ずつ用いた合金又は積層構造とされ、且つ上記Pt族金属元素の原子濃度が上記強磁性3d遷移金属元素よりも低い構成とする。これにより積層フェリ結合強度の向上が図られ、記憶素子の熱安定性を向上できる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有する層構造を備え、上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記磁化固定層が少なくとも2層の強磁性層と、非磁性層とから成る積層フェリピン構造を有しており、上記磁化固定層中の上記絶縁層と接する磁性材料がCoFeB磁性層で構成され、上記磁化固定層中の上記絶縁層と接しない磁性材料が、Pt族金属元素と、3d遷移金属元素のうちの強磁性元素である強磁性3d遷移金属元素とを少なくとも1種類ずつ用いた合金又は積層構造とされ、且つ上記Pt族金属元素の原子濃度が上記強磁性3d遷移金属元素よりも低いものとされている記憶素子。

IPC (8件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , G11B 5/39 , H01F 10/32 , H01F 10/16

FI (7件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L43/08 M , G11B5/39 , H01F10/32 , H01F10/16

Fターム (46件)：

4M119AA03 , 4M119AA11 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD24 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF13 , 4M119FF16 , 4M119FF17 , 5D034BA03 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB12 , 5F092AB03 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB43 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092BE21 , 5F092BE25

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-183631 出願人：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-163742 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-082741 出願人：株式会社東芝

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