特許
J-GLOBAL ID：202103018241449782
コヒーレント光受信器の特性評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, ▲高▼木 邦夫
, 寺澤 正太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-087051
公開番号（公開出願番号）：特開2017-199957
特許番号：特許第6798662号
出願日： 2016年04月25日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1入力端子及び第2入力端子に入力された信号を増幅する増幅回路と、
多モード干渉導波路と、
前記多モード干渉導波路に光結合し、出力が前記増幅回路の前記第1入力端子に接続された第1受光素子と、
前記第1受光素子及び前記多モード干渉導波路と同一の半導体基板上に一体形成され、前記多モード干渉導波路に光結合するとともに、出力が前記増幅回路の前記第2入力端子に接続された第2受光素子と、を備え、前記第1受光素子のカソードと前記第2受光素子のカソードとが前記半導体基板上の抵抗を介して接続される、コヒーレント光受信器の特性評価方法であって、
前記第1受光素子のアノードと前記カソードとの間に逆バイアスを印加するとともに、前記第1受光素子に印加される電位差より小さい電位差を前記第2受光素子のアノードと前記カソードとの間に印加する工程と、
前記多モード干渉導波路に光を入射し、前記増幅回路から出力される信号に基づいて前記第1受光素子の周波数特性を測定する工程と、
を備え、
前記電位差を印加する工程では、前記第2受光素子の前記アノードと前記カソードとの間に印加される前記電位差が所定値に定められる、コヒーレント光受信器の特性評価方法。
IPC (2件)：
H04B 10/61 ( 201 3.01)
, G01M 11/00 ( 200 6.01)
H04B 10/61
, G01M 11/00 T
