特許

J-GLOBAL ID：202103018501515121

成膜方法

発明者： 永岡 達司 ,  西中 浩之 ,  吉本 昌広 ,  駒井 宏基
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  国立大学法人京都工芸繊維大学
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-231941
公開番号（公開出願番号）：特開2021-100077
出願日： 2019年12月23日
公開日（公表日）： 2021年07月01日
要約：

【課題】 基体の表面にミストを供給することで酸化物膜を形成するときに、酸化物膜にモリブデンをドープする技術を提案する。【解決手段】 モリブデンがドープされているとともに半導体または導体の特性を有する酸化物膜を基体上に形成する成膜方法であって、前記基体を加熱しながら、前記酸化物膜の構成元素を含む酸化物膜材料とモリブデンのオキソアニオンを含有する溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、を有する成膜方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

モリブデンがドープされているとともに半導体または導体の特性を有する酸化物膜を基体上に形成する成膜方法であって、 前記基体を加熱しながら、前記酸化物膜の構成元素を含む酸化物膜材料とモリブデンのオキソアニオンとを含有する溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、 を有する成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/365 ,  H01L 21/368 ,  C30B 29/16 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/40

FI (5件)：

H01L21/365 ,  H01L21/368 Z ,  C30B29/16 ,  C30B25/02 Z ,  C23C16/40

Fターム (71件)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077DB05 ,  4G077DB06 ,  4G077DB15 ,  4G077EB01 ,  4G077EB05 ,  4G077EC04 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TH01 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA12 ,  4K030BA42 ,  4K030BA47 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030EA01 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA03 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB40 ,  5F045AC00 ,  5F045AC03 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF01 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045DP07 ,  5F045EE02 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB58 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053GG02 ,  5F053GG03 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK10 ,  5F053RR20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高いNOx-SCR変換率及び低いSOx変換率
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2016-569931   出願人：ジョンソンマッセイパブリックリミテッドカンパニー
• 溶液処理薄膜および積層体、薄膜および積層体を備えた装置、その使用および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-211362   出願人：ステイトオブオレゴンアクティングバイアンドスルーザステイトボードオブハイヤーエデュケーションオンビハーフオブオレゴンステイトユニバーシティー