特許
J-GLOBAL ID:202103018967211440

少数キャリア寿命評価方法および少数キャリア寿命評価装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 昭徳
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-245153
公開番号(公開出願番号):特開2018-101651
特許番号:特許第6785642号
出願日: 2016年12月19日
公開日(公表日): 2018年06月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 少数キャリア寿命が評価済みの第2半導体膜にレーザーからレーザー光を照射する第1工程と、 前記第2半導体膜から輻射されたバンド端PL発光の時間積分値を測定する第2工程と、 測定した前記時間積分値と、評価済みの前記少数キャリア寿命とから、前記少数キャリア寿命と前記バンド端PL発光の時間積分値との関係を取得する第3工程と、 前記第1工程から前記第3工程より後、第1半導体膜に、温度、励起レーザーパワーおよび光学系が前記第1工程の前記レーザーと同一のレーザーからレーザー光を照射する第4工程と、 前記第1半導体膜から輻射されたバンド端PL発光の時間積分値を測定する第5工程と、 測定した前記時間積分値と前記関係とから、前記第1半導体膜の少数キャリア寿命を評価する第6工程と、 を含むことを特徴とする少数キャリア寿命評価方法。
IPC (1件):
H01L 21/66 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 21/66 M
引用特許:
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