特許
J-GLOBAL ID：200903046837673980
発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法及び評価装置、コンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに発光素子用エピタキシャルウェーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263452
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101145
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 励起キャリア密度によらず、本質的なライフタイムを迅速且つ非破壊で測定することができる発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法を提供することを目的とする。さらに、従来よりも発光効率が高い発光素子用エピタキシャルウェーハを提供することも目的とする。【解決手段】 発光素子用エピタキシャルウェーハに前記励起光を照射することにより生ずるフォトルミネッセンス光の強度の時間変化が一定値以下となる時の強度の変化速度から非発光ライフタイムを導出することにより、励起キャリア密度に依存しない非発光ライフタイムを求めることができる。さらに、このようにして求めた非発光ライフタイムが20ナノ秒以上であり、または活性層への亜鉛の拡散量が1E13原子/cm2以内であることを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェーハを提供する。
請求項（抜粋）：
発光素子用エピタキシャルウェーハに励起光を照射し、前記発光素子用エピタキシャルウェーハの活性層においてキャリアが励起されることにより生ずるフォトルミネッセンス光を検出し、前記フォトルミネッセンス光の強度の時間変化が一定値以下となる時の前記フォトルミネッセンス光の強度の変化速度から非発光ライフタイムを導出することを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 K
, H01L 21/66 N
4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106AB09
, 4M106BA05
, 4M106BA20
, 4M106CB01
, 4M106CB11
, 4M106CB30
, 4M106DH01
, 4M106DH12
, 4M106DH32
, 4M106DH40
, 4M106DJ21
, 4M106DJ24
, 5F041AA41
, 5F041AA46
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA53
, 5F041CA77
