特許

J-GLOBAL ID：202103019821348912

等温加熱負荷または非等温加熱負荷をシミュレートする方法、試験バイパス、および冷却装置

発明者： ヒルデンボイテル,ヤン ,  ヴィルヘルム,ハンスペーター
出願人/特許権者： リンデ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (6件)： 山本 修 ,  宮前 徹 ,  松尾 淳一 ,  小野 達己 ,  小野 新次郎 ,  中西 基晴
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-521650
特許番号：特許第6914253号
出願日： 2016年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 試験バイパス(2)による手段を用いて、冷却装置(1)のプロセス媒体(M)内の消費装置(V)によって与えられる等温加熱負荷または非等温加熱負荷をシミュレートする方法であって、前記冷却装置(1)の「フォワードフロー」(A)と前記冷却装置(1)のリターンフロー(B)との間の流れ接続が設けられ、前記試験バイパス(2)は、少なくとも1つの調整弁(CV1,CV2)、前記等温加熱負荷を導入するための第1の加熱手段(H1)、容器(G)、および前記非等温負荷を導入するための第2の加熱手段(H2)を備え、 前記プロセス媒体(M)が前記「フォワードフロー」(A)から前記試験バイパス(2)を通して前記リターンフロー(B)に導かれ、 前記試験バイパス(2)内で、前記第1の加熱手段(H1)による手段によって所定の等温加熱負荷が前記プロセス媒体(M)に導かれるとともに、前記第2の加熱手段(H2)によって所定の非等温加熱負荷が前記プロセス媒体(M)に導かれ、 前記少なくとも1つの調整弁(CV1,CV2)の手段により前記等温加熱負荷が導かれる前記容器(G)内にプロセス圧力(p4)が確立されて、前記容器(G)内で前記プロセス媒体(M)の液相(F)の一定のレベル(LI4)が保持され、 前記試験バイパス(2)内にて点(Z1、Z2、Z6、Z7)で前記プロセス媒体(M)の状態が測定され、 前記等温加熱負荷および前記点(Z1、Z2、Z6、Z7)での前記プロセス圧力(p4)の前記状態の前記値を用いて、前記点(Z1)での前記プロセス媒体(M)の質量流量(m)が計算され、 前記第2の加熱手段(H2)は前記容器(G)の下流に配置される、方法。

IPC (2件)：

G01M 99/00 ( 201 1.01) ,  F25B 49/00 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G01M 99/00 Z ,  F25B 49/00 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭48-070133
  
• 熱伝達率試験装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-020869   出願人：株式会社富士通ゼネラル
• 基板冷却装置および構造物冷却装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-055644   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 冷媒冷却回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-163255   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 冷凍機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-152069   出願人：富士電機株式会社