発光積層構造体およびそれを備えたディスプレイ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-532747
公開番号（公開出願番号）：特表2021-507515
出願日： 2018年12月14日
公開日（公表日）： 2021年02月22日
要約：

互いに重なって配置され、それぞれ互いに異なる波長帯域を有する有色光を放出するように構成された複数のエピタキシャルサブユニットと、隣接したエピタキシャルサブユニットの間に配置され、それに接続された共通電極と、第1乃至第3エピタキシャルスタックに共通電圧を印加するための共通コンタクト電極と、第1乃至第3エピタキシャルスタックのそれぞれに発光信号を印加するための第1接触部、第2接触部、および第3接触部と、を含む接触部と、を含み、エピタキシャルサブユニットの発光領域が互いに重なり、エピタキシャルサブユニットは、順に重なって配置された第1乃至第3エピタキシャルスタックを含み、第1乃至第3エピタキシャルスタックのそれぞれは、p型半導体層、活性層、およびn型半導体層を含む、発光積層構造体を開示する。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

互いに重なって配置され、それぞれが互いに異なる波長帯域を有する有色光を放出するように構成された複数のエピタキシャルサブユニットと、隣接したエピタキシャルサブユニットの間に配置され、それに接続された共通電極と、共通電圧および発光信号を印加するように前記エピタキシャルサブユニット上に配置され、第1、第2、および第3エピタキシャルスタックに前記共通電圧を印加するための共通コンタクト電極と、前記第1、第2、および第3エピタキシャルスタックのそれぞれに前記発光信号を印加するための第1接触部、第2接触部、および第3接触部と、を含む接触部と、を含み、前記エピタキシャルサブユニットの発光領域が互いに重なり合っており、前記エピタキシャルサブユニットは、順に重なって配置された前記第1エピタキシャルスタック、前記第2エピタキシャルスタック、および前記第3エピタキシャルスタックを含み、それぞれの前記第1、第2、および第3エピタキシャルスタックは、p型半導体層、活性層、およびn型半導体層を含む、発光積層構造体。

IPC (4件)：

H01L 33/08 , H01L 33/00 , H01L 33/62 , G09F 9/33

FI (4件)：

H01L33/08 , H01L33/00 J , H01L33/62 , G09F9/33

Fターム (43件)：

5C094AA08 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA12 , 5C094BA25 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094ED03 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5F142BA32 , 5F142CD02 , 5F142CD15 , 5F142CD32 , 5F142CE08 , 5F142DB12 , 5F142DB24 , 5F142GA02 , 5F241AA12 , 5F241AA14 , 5F241BB18 , 5F241BC44 , 5F241BC47 , 5F241CA04 , 5F241CA05 , 5F241CA36 , 5F241CA37 , 5F241CA40 , 5F241CA43 , 5F241CA74 , 5F241CA85 , 5F241CA86 , 5F241CA87 , 5F241CA88 , 5F241CA93 , 5F241CB04 , 5F241CB11 , 5F241CB15 , 5F241CB27 , 5F241CB36 , 5F241FF06

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-027958 出願人：株式会社東芝
半導体カラー発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049286 出願人：ソニー株式会社

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