特許
J-GLOBAL ID:202103021110068113
縦型輸送電界効果トランジスタのための半導体構造を形成する方法、半導体構造、および集積回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
上野 剛史
, 太佐 種一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2020-534980
公開番号(公開出願番号):特表2021-509536
出願日: 2018年12月31日
公開日(公表日): 2021年03月25日
要約:
【課題】縦型輸送電界効果トランジスタのための半導体構造を形成する方法を提供。【解決手段】基板の上面に配置された複数のフィンを形成することと、置換金属ゲート(RMG)・プロセスを使用して複数のフィンから1つまたは複数の縦型輸送電界効果トランジスタ(VTFET)を形成することとを含む。VTFETのうちの所与の1つの少なくとも1つのフィンを囲むゲートが、ゲート・コンタクト金属層に配置されたゲート自己整合コンタクト(SAC)・キャッピング層を含み、ゲート・コンタクト金属層が、少なくとも1つのフィンの端部に隣接して配置される。【選択図】図45
請求項(抜粋):
半導体構造を形成する方法であって、
基板の上面に配置された複数のフィンを形成することと、
置換金属ゲート(RMG)・プロセスを使用して前記複数のフィンから1つまたは複数の縦型輸送電界効果トランジスタ(VTFET)を形成することとを含み、
前記VTFETのうちの所与の1つの少なくとも1つのフィンを囲むゲートが、ゲート・コンタクト金属層に配置されたゲート自己整合コンタクト(SAC)・キャッピング層を含み、前記ゲート・コンタクト金属層が、前記少なくとも1つのフィンの端部に隣接して配置される方法。
IPC (9件):
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 27/092
, H01L 29/417
, H01L 29/41
, H01L 29/423
, H01L 29/49
FI (7件):
H01L29/78 301G
, H01L29/78 301X
, H01L27/088 E
, H01L27/092 G
, H01L29/50 M
, H01L29/44 S
, H01L29/58 G
Fターム (88件):
4M104AA01
, 4M104AA02
, 4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA05
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB29
, 4M104BB30
, 4M104BB33
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD12
, 4M104DD16
, 4M104DD33
, 4M104DD34
, 4M104DD43
, 4M104EE03
, 4M104EE06
, 4M104EE16
, 4M104FF06
, 4M104FF08
, 4M104FF13
, 4M104FF22
, 4M104FF26
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH15
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB01
, 5F048BB02
, 5F048BB03
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BC02
, 5F048BC03
, 5F048BC05
, 5F048BD07
, 5F048BD10
, 5F048BF07
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F048BG13
, 5F048CB07
, 5F140AB03
, 5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BA03
, 5F140BA05
, 5F140BA06
, 5F140BA07
, 5F140BA10
, 5F140BB04
, 5F140BC15
, 5F140BD11
, 5F140BF03
, 5F140BF05
, 5F140BF07
, 5F140BF10
, 5F140BF42
, 5F140BF54
, 5F140BG27
, 5F140BG28
, 5F140BG30
, 5F140BH06
, 5F140BH30
, 5F140BH47
, 5F140BH49
, 5F140BJ05
, 5F140BJ07
, 5F140BJ10
, 5F140BJ28
, 5F140BK12
, 5F140BK13
, 5F140BK14
, 5F140BK17
, 5F140BK21
, 5F140CB04
, 5F140CE07
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特許第9773913号
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特許第9773913号
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特許第9773708号
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特許第9773708号
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半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2017-145606
出願人:ユニサンティスエレクトロニクスシンガポールプライベートリミテッド
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