省エネデバイス用8インチ超大口径GaNウエハ

体系的課題番号：JPMJAL1201
実施期間：2012 - 2019
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJAL1201
研究概要：

パワーデバイスおよびLED用基板として期待されているGaN基板の結晶欠陥低減と大口径化を推進しています。Naフラックス法およびシードポイント法を用いて、100個/cm2の転位欠陥密度と6インチ径のGaN基板の作製に成功。Si基板と同等の品質を有する8インチ超GaN基板の低コスト作製技術の開発を目指します。

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研究制度：＞＞＞
上位研究課題：革新的省・創エネルギーシステム・デバイス
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2019 終了報告書

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