ハーフメタル強磁性体を用いたスピン機能MOSFETの開発

体系的課題番号：JPMJCR0744
実施期間：2007 - 2012
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院理工学研究科, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR0744
研究概要：

フルホイスラーハーフメタル強磁性体をシリコンCMOS集積回路に融合させた新しいスピン機能MOSFETおよびそれを用いた新機能集積回路の開発を行います。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

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