研課題
J-GLOBAL ID：202104002003216206
研究課題コード：13415259
相界面制御法による極低反射率の達成と結晶シリコン太陽電池の超高効率化
体系的課題番号：JPMJCR13C2
実施期間：2013 - 2018
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 産業科学研究所, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR13C2
研究概要：
シリコンウェーハを過酸化水素とフッ化水素酸の溶液に浸し、白金触媒体に接触させるだけで、瞬間的に表面にシリコンナノクリスタル層が形成されます。その結果、反射率がほぼ零となります。これを結晶シリコン太陽電池に利用すると、大きな光電流が得られます。シリコンナノクリスタル層は原子レベルの欠陥をほとんど含んでおらず、表面を不活性にする処理を用いると、高い光起電力も得られます。したがって、低コストの下で結晶シリコン太陽電池を高効率化することができます。
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エネルギー高効率利用のための相界面科学
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