研課題
J-GLOBAL ID:202104002672051719  研究課題コード:16815839

二次元TMDC相補型MISFETsのLSIプロセスによる性能向上と応用

体系的課題番号:JPMJCR16F4
実施期間:2016 - 2021
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 工学院, 教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJCR16F4
研究概要:
二次元原子層状構造をもつ遷移金属ダイカルコゲナイドのうち、硫化半導体をチャネルとする相補型MISトランジスタについて、清浄度・制御性が高い先端LSIプロセス(スパッタやMOCVD法)により高性能化し、プロセス物性とデバイス動作理論を体系化します。高速・低電力性に加えて透明・柔軟性を活かして、人との親和性を高めた高性能ディスプレイや人体パッチ等の応用を探索します。
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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