酸化物ヘテロ構造による電界制御型磁気メモリ(MRAM)素子の開発

実施期間：2005 - 2005
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( )
研究概要：

強磁性トンネル接合構造と強磁性電界効果トランジスタ構造を組み合わせた新規メモリ構造により、書き込み時の大消費電力を低減し集積度を大幅に向上させることを可能とする不揮発性磁気メモリ素子(Magnetic Random Access Memory :MRAM)を提案した新強磁性体(Fe3-xMnx)O4を用い作製する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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