高耐圧スイッチングデバイス用完全光絶縁駆動回路

実施期間：2006 - 2006
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院理工学研究科, 助教授 )
研究概要：

SiC やGaN 等のワイドバンドギャップ半導体を用いた高速かつ高耐圧なパワーデバイスの開発が進められている。現在のパワーデバイス駆動回路では, 制御信号の伝送は光絶縁(光信号による絶縁確保)であるが, 駆動回路の電力伝送は依然として変圧器絶縁(巻線間絶縁)であり, 高速・高耐圧デバイスへの適用は難しい。本研究課題では, 完全に光絶縁が可能な高速・高耐圧パワーデバイス用駆動回路を開発し動作を実証することを目標とする。これは, 理論的な損失を発生しない新しい回路方式に新規性があり, これを活用して完全光絶縁を実現とする点に独創性がある。次世代のパワーデバイスの応用に必要となる要素技術であり,マトリクスコンバータ等の次世代電力変換回路への実用化が期待できる。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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