極限環境省エネルギーパワーエレクトロニクスの創成

体系的課題番号：JPMJTR21R3
実施期間：2021 - 2021
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 大学院工学研究科, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTR21R3
研究概要：

パワーエレクトロニクスは電気エネルギーの高効率利用に不可欠であり、with/postコロナにおける省エネ社会構築に大きなインパクトを有する。シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスの実用化が始まったが、現行のMOS型電界効果トランジスタの性能は、絶縁膜/SiC界面欠陥の影響で材料物性から期待される性能に遥かに及ばない。本提案では、申請者が有する技術シーズ(絶縁膜界面特性改善技術、新規絶縁膜堆積技術、界面物性評価技術)を駆使してSiC MOS界面の高品質化を図り、極限環境下で動作可能なCMOS(相補型MOS)インバータ回路を試作し、極限環境エレクトロニクスの創成に取り組む。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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