室温で動作する全半導体トンネル磁気抵抗素子の研究・開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 電気系, 准教授 )
研究概要：

II-IV-V2多元系半導体であるZnSnAs2に磁性原子Mnを添加したMnドープZnSnAs2薄膜は、室温で強磁性を示しインジウムリン基板に格子整合することから半導体スピントロニクス材料の候補である。本研究では高品質な薄膜形成を実現するためにMnドープZnSnAs2薄膜の結晶成長条件と薄膜物性について調べ、その結果に基づいて、非磁性ZnSnAs2膜とMnドープZnSnAs2膜を組み合わせたすべて(全)半導体で構成されるトンネル磁気抵抗素子の開発を行い、室温動作の可能性を調べる。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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