研課題
J-GLOBAL ID：202104011790907791
研究課題コード：10102580
新規電圧駆動磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の開発
実施期間：2010 - 2010
実施機関 (1件)：
研究責任者：
(
, 工学(系)研究科(研究院), 助教 )
研究概要：
電圧駆動磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の開発を目指して、電界による磁性制御が可能なα-Cr2O3薄膜を用いた室温での垂直交換バイアスについて検討した.垂直交換バイアスとは、新規MRAMにおいて、情報読み出しの参照層となる磁性層に作用させる効果であり、α-Cr2O3薄膜を用いた垂直交換バイアスとしては、研究責任者らにより、80 Kで0.27 erg/cm2が達成されていた.本研究により、α-Cr2O3薄膜の膜厚制御、α-Cr2O3薄膜と強磁性薄膜間の磁気結合強度の制御により、室温での垂直交換バイアスの発現に成功した.今後は、低消費電力化に必要となる、α-Cr2O3薄膜の膜厚低減、電圧による交換バイアスの制御が必要となる.
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