研課題
J-GLOBAL ID:202104015179049874  研究課題コード:09152482

有機・無機半導体ヘテロ構造を用いた新規デバイスの開発

体系的課題番号:JPMJPR0967
実施期間:2009 - 2012
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 理工学術院, 助教 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR0967
研究概要:
フラーレンにIII-V族化合物半導体で培われた結晶成長・評価法を応用し、有機・無機半導体へテロ界面の構造制御を行い、電子デバイスへの応用展開を行います。具体的には有機半導体結晶成長の動的観察法を発展させ、結晶粒界のない高移動度有機薄膜を製作します。また、C60・多価金属複合体による大気中で安定動作する太陽電池と、C60分子を添加したGaAs結晶による省電力高速トランジスタや高密度メモリの開発を行います。
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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