研課題
J-GLOBAL ID:202104002939054747  研究課題コード:1112042

革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス

実施期間:2007 - 2012
実施機関 (1件):
研究総括: ( , 理事/教育担当副学長 )
研究概要:
この研究領域は、CMOSに代表される既存のシリコンデバイスを超える革新的な次世代デバイスを創成することを目標として、環境やエネルギー消費に配慮しつつ高速・大容量かつ高度な情報処理・情報蓄積・情報伝達を可能とする新しい材料の開拓およびプロセスの開発を図る挑戦的な研究を対象とするものです。 具体的には、高移動度ワイドギャップ半導体材料、スピントロニクス材料、高温超伝導体を含む強相関系材料、量子ドット材料、ナノカーボン材料、有機半導体材料などが挙げられますが、これらに限らず、将来のデバイス化を見据えた新しい材料または構造及びプロセスの開拓に向けた独創的な研究が含まれます。
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した研究課題タイトルの用語をもとにしたキーワードです
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:
従属研究課題 (33件):

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