研課題
J-GLOBAL ID:202104015246470490  研究課題コード:08062828

ナノ半導体への不純物ドーピング効果の解明と低抵抗ナノフィルム半導体の創製

体系的課題番号:JPMJPR08N2
実施期間:2008 - 2010
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 大学院理工学研究科 )
研究概要:
ナノスケール半導体は、量子効果によりバルクと異なる性質を示すことが知られており、次世代情報処理デバイス用の高機能性材料として注目を集めています。一方で、半導体デバイスの実現には、ドナーやアクセプターとよばれる不純物原子を導入することが必要です。本研究では、ナノ半導体に不純物原子を高濃度で導入する方法を開発するとともに、ナノ半導体中での不純物原子の特異な性質を明らかします。
研究制度:
上位研究課題: ナノ製造技術の探索と展開
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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