巨大電荷制御トランジスタを用いたセラミックスエレクトロニクス

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 精密工学研究所, 助教授 )
研究概要：

低コストで基板を選ばず様々な場所に集積化でき、透明でかつフレキシブルなセラミックス材料で構成される演算素子、メモリ素子を開発する。Bi2Nb2O7等の高誘電率材料、または(Bi,La) 4Ti3O12等の強誘電体をゲート絶縁膜に用い、それらが誘起する大きな電荷量で、インジウム・スズ酸化物、In-Ga-Zn-O等の導電性酸化物チャネルの導電率を制御する新コンセプトのトランジスタ素子を開発する。

, , ,

研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

前のページに戻る