次世代半導体単結晶と電極金属膜の界面反応制御とコンタクト形成

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 先端科学イノベーションセンター, 助教 )
研究概要：

素子のエネルギー効率はSiからSiCへの置換により格段に向上できるが、SiCへのオーミックコンタクト形成が困難であることがこの置換推進を妨げている。特に、高出力用バイポーラ型トランジスタでは単結晶SiCウェハの両面にコンタクトを形成せねばならない。本研究では、種々のSiC結晶面と金属蒸着膜との適切な界面組織を形成するための界面反応制御法確立を目指す。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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